目前最先进的芯片是4nm制程，虽然三星、台积电都官宣今年量产3nm芯片，但3nm芯片仍没有出现。

但是，将芯片制程缩小到3nm已经很难了，三星采用了更先进的GAA工艺，虽然台积电仍是采用传统工艺，结果成本、性能提升并没有想象中那么美好。

另外，2nm芯片预计在3年后出现，也是年，这意味着芯片制程缩小越来越难了。

根据ASML发布的消息可知，其正在研发全新一代HighNAEUV光刻机，孔径值为0.55，主要生产制造2nm、1.8nm等制程的芯片。

而台积电方面则表示该光刻机有望在年交付测试。

如今，ASML官宣HighNAEUV光刻机新消息，称ASML正在准备向客户交付首台High-NAEUV光刻机，大概会在明年某个时间点完成。

另外，HighNAEUV光刻机可以用于生产制造1nm以上制程的芯片，主要是用于生产制造2nm等芯片，单台售价可能会超过3亿美元。

最主要的是，ASML方面还表示High-NA可能将是最后一个NA，当前半导体光刻技术之路或已走到尽头，不过正在研究其它可行性替代技术。

据了解，全新一代HighNAEUV光刻机预计在明年交付，将会直接带来多个好处。

首先，3nm、2nm芯片生产制造更加顺利。

三星、台积电都在使用EUV光刻机生产制造3nm芯片，但实际上已经有点力不从心了。

因为三星采用了全新的GAA工艺，性能和功耗提升明显，但良品率成了最大的问题；台积电采用传统工艺，良品率得到了保证，但性能和功耗提升欠缺。

无论是三星的GAA工艺还是台积电的传统工艺都面临成本高的问题。

HighNAEUV光刻机交付后，其技术更为先进，能够在单元面积中内置更多晶体管，从而进一步提升性能，降低功耗和成本，也能够加速2nm芯片的到来。

其次，加速EUV光刻机自由出货。

EUV光刻机被研发制造出来后，其就不能自由出货，也不向外企中国分厂出货，无论是三星、SK海力士还是ASML，再或是国内厂商，都想让EUV光刻机自由出货。

根据瓦森纳协议以及ASML的出货规则可知，EUV光刻机是最先进的设备，DUV光刻机可以自由出货，毕竟，ASML短时间内就向国内出货78台。

全新一代HighNAEUV光刻机交付后，EUV光刻机就不再是最先进的设备，理论上就能够实现自由出货。

更何况，NIL工艺、先进的封装技术以及堆叠芯片技术已经出现，这些技术都将降低了EUV光刻机的依赖。

甚至在没有EUV光刻机的情况下，也能打造出来5nm或高性能芯片，这也迫使ASML必须加速实现EUV光刻机自由出货。

再加上，三星、SK海力士等有大量的工厂在国内，都在等着EUV光刻机进行工艺升级和产能提升。

最后，为国产芯片提供了追赶的机会。

全新一代HighNAEUV光刻机到货后，EUV光刻机有望自由出货，梁孟松表示EUV光刻机到货后，就能够全面展开5nm等芯片的研发任务。

另外，ASML已经表示HighNAEUV光刻机可能是最后一代了，在没有更先进的技术出现后，芯片制程可能就停留在1nm以上。

据悉，2nm芯片预计在年量产，而1.8nm等制程可能会到年，甚至更晚。

在这段时间内，芯片制程进步越来越难，正好为国内厂商提供了追赶的机会，更何况，国内厂商抓住智能联网汽车对28nm等成熟需求的商机。

台积电魏哲家都表示联网汽车比智能手机带来的芯片商机更大，关键是大家都有机会，国内厂商用成熟工艺养先进工艺的模式，促进技术进步。