在光刻机领域内，技术最先进的厂商就是ASML，因为ASML研发制造的光刻机基本上占领了中高端市场。

数据显示，在28nm及以下制程的芯片中，各大晶圆代工厂商几乎全部采用ASML的光刻机，主要是DUV光刻机和EUV光刻机。

尤其是EUV光刻机，其是目前最先进的设备，主要用于生产制造7nm及以下制程的芯片，也是必要设备。

所以各大芯片企业都在争相购买ASML的EUV光刻机，由于产能有限，ASML也无法做到全部满足，不得不让三星使用翻新后的EUV光刻机。

再加上，全球芯片紧缺，各大晶圆工厂都在积极扩大产能，大量购买先进的光刻机等设备，其中，中芯国际一次性就签订了价值11亿美元的采购协议。

可以说，得益于技术先进和全球缺芯等多种因素的影响，ASML的光刻机是供不应求，其营收也是水涨船高。

台光刻机和亿元！ASML正式宣布新消息，EUV光刻机信息量大

1月19日，ASML正式宣布了新消息，事关年光刻机出货、营收以及EUV光刻机的最新消息等。

根据ASML发布的消息可知，年一共出货了台光刻机设备，总营收为亿欧元，折合人民币亿元。

其中，86亿欧元来自EUV光刻机系统，也就是说，ASML在年一共出货了42台EUV光刻机，比外界预期低了3台。

最主要的是，ASML还正式对外透露了很多升级版EUV光刻机的信息。

例如，ASML表示下一代EUV光刻机拥有更高的NA值，其可以达到0.55数值孔径，能够实现更高的曝光效率，每小时在片以上。

另外，ASML目前有两种0.55数值孔径的EUV光刻机，其分别是EXE:和EXE:5，都能够为更小的晶体管功能提供更高分辨率的模式。

关键是，ASML的首个TWINSCANEXE:5EUV光刻机已经交付给英特尔，而英特尔也下首个EXE:光刻机订单。

也就是说，在更先进的EUV光刻机设备上，台积电和三星并没有积极下单，可能是现有型号的EUV光刻机能够支撑其完成3nm等芯片的研发与制造。

也可能是ASML的产能有限，优先将升级版的EUV光刻机给英特尔，台积电和三星要想也需要等待，毕竟，英特尔有优先获得权。

最主要的是，EUV光刻机将会在年实现多个未来阶段，而更先进的High-NA技术有望在年开始支持生产制造。

也就是说，ASML在未来几年内，不仅会加速生产EUV光刻机的产能，两年量产台，还将在未来3年内大量推出EXE:5型号的光刻机和更先进的High-NAEUV光刻机。

当然，ASML之所以加速提升产能，并完成光刻机技术多次迭代升级。

一方面是因为EUV光刻机需求巨大，越来越多的芯片采用7nm及以下工艺，再加上，储存芯片厂商，像三星、美光以及SK海力士等都开始用EUV工艺了。

要知道，储存芯片采用EUV工艺，每条生产线至少需要1.8台，这大大刺激了EUV光刻机的需求量。

另外一方面芯片制程越来越小，现有的EUV型号的EUV光刻机已经不能满足需求，为此，三星和台积电都开发了新工艺和新材料，试图降低对ASML的依赖。

而ASML自然不愿被抛下，其加速推进EUV光刻机的技术升级，目的就是巩固ASML光刻机的地位。

其推出一口气推出两款0.55数值孔径的EUV光刻机，并计划在年推出更先进的High-NA技术。

目的就是为生产制造更先进的芯片，将芯片制程缩小至2nm、1nm，甚至是1nm以下。

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