半导体是指在常温下导电性能介于半导体与绝缘体之间的材料，即是一种导电性可控，范围从绝缘体到导体之间的材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。

半导体的基本特征是材料电阻是随着温度的上升而降低；半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，也就是光生伏特效应；材料在光照下电导增加的光电导效应；电导与所加电场的方向有关，在它两端加一个正向电压是导通的；电压极性反过来不导电，这就是半导体的整流效应。

原子能显微镜

新设备：原子能显微镜：日本制造业者

以压倒性的分辨率而自豪。测量至今为止隐藏的微小现象。尺寸是稍微深宽，一起15cm的超小型AFM，带探针快递的混载也没关系。可以用来代替SEM和高倍率的三维光学显微镜。测量模式也是标准的，丰富多彩。扫描头可以选择高分辨率、广域型两种，其更换也可以瞬间进行。探头的更换也是几秒钟，更换后不需要调整。另外，碳纳米管探针也可以自动接近。通过在扫描中使用电磁扫描仪（已取得专利），在扫描时不会移动工件。一般AFM中使用的压电所具有的非线性蠕变，经年没有变化。可选的小型自动舞台和内嵌全自动机。

装置规格：

扫描头：高分辨率型、广域扫描型

最大扫描范围：10μm、μm

最大Z范围：2.0μm、22μm

Z方向分辨率：0.nm、*1、0.nm*1

XY方向分辨率：0.nm、*1、0.nm*1

非线性：0.6%、0.6%

Z噪声电平（RMS）：40pm、90pm

全自动AFM测量装置

新设备：全自动AFM测量装置;制造商：日本制造商

简介：成为可全自动全数测量的AFM测量装置。

如果把测量工件安装在盒式磁带上，就可以全自动测量指定场所。

到现在为止的装置，非常高价，装置也大，处理困难，不过，实现了小型低价格。探针也使用碳纳米管，交换频率也是以前的1/。（参照附件）测量样品尺寸也按标准φ虽然是mm，但也支持FPD等大型基板。盒式磁带数量也可以根据您的要求进行无尘室对应。纳米级表面粗糙度、深度22μ可以测量到m的台阶。也可以选择不接触样品面的边缘夹紧式。

装置规格：AFM测头部；搬运机器人部（一例）

1、扫描头：广域扫描型；被搬送物：最大φmm晶片

2、最大扫描范围：μm（±１０％）；动作范围：机械臂行程（R轴）mm

3、最大Z范围：22μm（±１０％）；旋转角度（θ轴）：度

4、Z向分辨率：0.nm*1；上下行程（Z轴）：mm

5、XY方向分辨率：0.nm*1；搬运速度：R轴mm/0.8secθ轴度/0.8sec、Z轴mm/0.8sec

6、非线性：0.6%；舞台部：自动X轴、Y轴、Z轴

7、Z噪声电平：pm

应用程序：

1、SIC、Gan的Ra测量

2、蓝宝石基板或硅基板的Ra测定

3、图案的倾斜、宽度、高度测量

4、工件表面划伤深度测量

5、抗蚀剂高度和宽度的测定

6、掩模图案连续性的测定

7、其他微小、超精密测量

便携式晶圆吸附棒

新设备：便携式晶圆吸附棒；制造商：日本制造商

简介：生产线用便携式真空镊子。工厂内的任何地方都可以带着本体搬运。附带2个充电式电池和充电器。对应H-Square制的所有前端芯片

特点：将镊子放回支架后，可自动关闭真空，自动关闭真空，节省电池，真空度：22-24英寸Hg，坚固的底座结构（约1.1kg），稳定的桌上作业，紧凑的安装面积，附带线圈软线，镊子为真空常开（NO）型1级无尘室支持

对应晶圆尺寸（inch）：型号

2?8：FWTTA1

小型设备用：FWTTA1-AC-

晶圆边缘外观检测机

新设备：晶圆边缘外观检测机；制造商：日本制造商

简介：晶圆外周边缘外观图像检查机。同时对晶片外周的端面和上下3面进行高速光学图像检查，检查损伤、异物、裂纹等缺陷。（8”晶片的检查时间为6秒，速度快）背面吸附晶片，识别形状，检测外径偏心和偏振器位置/量，控制检查机。新开发的三重光学系统和集成照明实现了边缘的精细图像检查。可进行外部PIO控制，可装入自动装置。晶圆尺寸也可以从4英寸到8英寸。（正在申请PAT）。

特点：一台相机可同时进行边缘三面检查。可调整至晶片厚度0.2mm?1.5mm。三重光学系统和集成照明实现了不脱黑的最佳无影照明。可以进行包括奥里夫拉部在内的外观检查。

性能：

图像测量分辨率：10μm

检测缺陷尺寸：30μm

良否判定缺陷：50μm

检查对象：异物、伤痕、裂纹

全自动SIC检测装置

新设备：全自动SIC检测装置；制造商：日本制造商

简介：成为可全自动全数全面测量的超微距检查装置。如果把测量工件安装在盒式磁带上，就会全自动测量样品的整个表面。到现在为止的装置，非常高价，装置也大，处理困难，不过，实现了小型低价格。可以超高速检查SIC和Gan的内部缺陷，（1视野1秒以下）也可以检查蓝宝石基板的伤痕。测量样品尺寸也是标准的φ支持mm，PDF等大型基板也支持。盒式磁带数量也可以根据您的要求在洁净室内进行表面、背面、检查后的3个盒式磁带的设置。也可以选择不接触样品面的边缘夹紧式。

应用：SIC、Gan内部微管、蓝宝石基板或硅基板的表面检查、基板的翘曲或凹凸、应力应变、热滑移检查、微裂纹、内部脉理、气泡检查、BG研磨痕的检查或评价、各种晶片或FPD的内部或表面检查。

装置规格：

形式：SM-30

最大视野φ：３０ｍｍ

相机：万像素

CMOS镜头：55mm

微尼科尔照明高亮度LED（PC调光）聚焦亮度追随型（自动）使用OSWindowsXP，或7检查时间1视野1秒以下。

搬运机器人部（一例）：被搬运物最大φmm晶圆动作范围机械臂行程（R轴）mm旋转角度（θ轴）度上下行程（Z轴）mm搬运速度R轴mm/0.8secθ轴度/0.8secZ轴mm/0.8sec载物台部自动X轴、Y轴、Z轴。

自动保存仓库式量产立式炉

新设备：自动保存仓库式量产立式炉；制造商：日本制造商

简介：～Φ支持mm晶片，可进行超高温处理的储料器内置大批量立式炉。可支持氧化、扩散、LPCVD、活化退火等各种工艺。

特点：最多可使用20个盒式储能器进行连续分批处理，搭载操作人员友好的高功能控制系统，5枚批量+单片搬运机器人的高速晶片搬运，LGO加热器搭载，发挥从低温到中高温的优异温度特性采用搭载二硅化钼加热器的H型阵容，机密性高的腔室构造（H型）。

规格：Φmm晶片最大张，20个盒式储存器，是能连续批处理的大号批量产型的纵型扩散炉。通过分开使用LGO加热器、二硅化钼（MoSi2）加热器，不仅可应对氧化、扩散、LP-CVD，还可应对SiC功率器件的栅极氧氮化处理等超高温工艺。

型号：VF-5、VF-5H。

本体尺寸（mm）：0（W）×(D)×3(H)。

加热器：LGO加热器、二硅化钼加热器。

均热长度（mm）：。

晶片尺寸（mm）Φ～：～Φ。

一处理张数：张、～Φ:张Φ:75张。

使用温度～1℃：～0℃。

晶片搬运：5枚一揽子+枚叶。

可选：N2负载锁、支持SMIF、主机通信、强制冷却系统、薄晶片对应、舟皿旋转机构：N2负载锁定、SMIF对应、主机通信。

处理：氧化、扩散、LP-CVD、各种退火：高温氧化、氮氧化。

处理品：Si、GaAs、InP、GaN、Ga2O3等Si、SiC晶片。

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